單晶硅壓力變送器采用單晶硅技術(shù)壓力傳感器，單晶硅壓力傳感器位于金屬本體頂部，遠(yuǎn)離介質(zhì)接觸面，實(shí)現(xiàn)機(jī)械隔離和熱隔離，玻璃燒結(jié)一體的傳感器引線與金屬基體的高強(qiáng)度電氣絕緣，提高了電子線路的靈活性能與耐瞬變電壓保護(hù)的能力，可應(yīng)對(duì)復(fù)雜的化學(xué)場合和機(jī)械負(fù)荷，同時(shí)具備強(qiáng)大的抗電磁干擾能力，適合苛刻的流程工業(yè)環(huán)境中壓力測量應(yīng)用。

一、介紹

單晶硅壓力變送器采用單晶硅技術(shù)壓力傳感器，單晶硅壓力傳感器位于金屬本體頂部，遠(yuǎn)離介質(zhì)接觸面，實(shí)現(xiàn)機(jī)械隔離和熱隔離，玻璃燒結(jié)一體的傳感器引線與金屬基體的高強(qiáng)度電氣絕緣，提高了電子線路的靈活性能與耐瞬變電壓保護(hù)的能力，可應(yīng)對(duì)復(fù)雜的化學(xué)場合和機(jī)械負(fù)荷，同時(shí)具備強(qiáng)大的抗電磁干擾能力，適合苛刻的流程工業(yè)環(huán)境中壓力測量應(yīng)用。

二、特點(diǎn)

1、單晶硅技術(shù)壓力傳感器

2、雙膜片過載防護(hù)結(jié)構(gòu)

3、集成電路與表面封裝技術(shù)的信號(hào)變送模塊

4、顯示模塊可355°旋轉(zhuǎn)

5、殼體外隔離磁感應(yīng)三按鍵參數(shù)設(shè)置

6、耐瞬變電壓保護(hù)端子模塊

三、技術(shù)參數(shù)

1、使用對(duì)象：液體、氣體和蒸汽；

2、供電電壓：12～36V DC，標(biāo)準(zhǔn)值24VDC；

3、輸出信號(hào)：4～20mADC；(特殊可為四線制 220V AC供電 0-10mA DC輸出)

4、環(huán)境溫度：－25～70℃（一般變送器），－15～70℃（帶現(xiàn)場指示器）

5、儲(chǔ)藏溫度：－40～100℃；

6、防護(hù)等級(jí)：dⅡBT4  iaⅡCT5；

7、法蘭標(biāo)準(zhǔn)：JB/T82.2－94（執(zhí)行其它標(biāo)準(zhǔn)請注明）；

8、電源影響：小于輸出范圍的±0.005%/V；

9、振動(dòng)影響：在任何方向上振動(dòng)頻率200Hz時(shí)，所引起的誤差為zui大范圍的0.05%／g（微差壓為0.25%／g）；

10、安裝位置影響：當(dāng)工作膜片未垂直安裝時(shí)，可能產(chǎn)生不大于0.24Pa的零位誤差，此誤差可通過調(diào)整零位來消除，對(duì)量程無影響

11、單晶硅壓力變送器精度:0.2%  0.5%   智能型;0.075%

12、穩(wěn)定性：六個(gè)月內(nèi)不超過變送器的精度；

13、導(dǎo)壓連接件：在壓力容室上的連接螺孔為1/2－14NPT.與普通1151相同;

14、電纜連接孔的螺孔為M20×1.5；

15、指示器：現(xiàn)場輸出指示器有電流表，線性指示0～；3-1/2位LCD液晶顯示；

16、量程和零位：外部連續(xù)可調(diào)；　

17、正負(fù)遷移：差壓變送器：zui大正遷移量為500%，zui大負(fù)遷移量為600%

18、zui對(duì)壓力：zui大正遷移量為500%，只可正遷移；　

19、過載壓力：不超過規(guī)定壓力的1.15倍，變送器不會(huì)損壞；　

20、容積變化量：小于0.16cm3　

21、阻尼時(shí)間：充硅油時(shí),0.2～1.67秒內(nèi)連續(xù)可調(diào).

22、隔離膜片：3l6不銹鋼，哈氏合金C一2 7 6，蒙乃爾合金或鉭

23、排氣／排液閥：316不銹鋼，哈氏合金C，蒙乃爾合金

24、法蘭和接頭：3 I 6不銹鈉，哈氏合金C或蒙乃爾合舍

25、接觸介質(zhì)“O”形環(huán)：丁晴橡膠，氟橡膠

26、灌充液：硅油或惰性油

27、螺  栓：316L不銹鋼

28、電子殼體材料：低銅鋁合金

29、引壓連接件：法蘭、NPT 1／4，中心距54mm；接頭NPT 1／2或M20×1．5陽螺紋球錐面密封，帶接頭時(shí)中心距50.8、54、57.2mm(NPT錐管螺紋符合GB／Tl2716-91)

30、信號(hào)線連接孔：G 1/2

五、選型

選型表

附件及材質(zhì)代碼